Samsung представила модули памяти HBM2E третьего поколения

Компания Samsung Electronics сообщила о выпуске памяти с высокой пропускной способностью HBM2E третьего поколения, которая получила имя Flashbolt. Эта память была анонсирована в марте прошлого года, а начать ее серийный выпуск южнокорейский производитель обещает в текущем полугодии.

Новая память Flashbolt обладает вдвое большей емкостью по сравнению с предыдущим поколением HBM2 Aquabolt 8 ГБ, а также существенно возросшей производительностью и эффективностью энергопотребления. Ёмкость 16 ГБ достигается за счет вертикального размещения на матрице восьми слоев 16-гигабитных DRAM-чипов класса 10 нм. Затем HBM2E модули соединяются между собой с помощью более 40.000 сквозных кремниевых микроскопических отверстий, при этом каждый 16-гигабитный кристалл содержит их более 5600.

Flashbolt от Samsung обеспечивает скорость передачи данных до 3,2 Гбит/c и пропускную способность памяти 410 Гбайт/с на стек. Для сравнения предшествующий Aquabolt характеризуется показателем в 307 Гбайт/с. Более того, компания утверждает, что подобные чипы будут стабильно работать вне спецификации JEDEC на скоростях вплоть до 4,2 Гбит/с на контакт.

Samsung стал вторым вендором, объявившим спецификацию памяти отличную от HBM2. В прошлом году то же самое сделала компания SK Hynix, которая пообещала осилить производство модулей памяти HBM2E со скоростью передачи данных 3,6 Гбит/с.

Память HBM2 используется в некоторых современных графических ускорителях. Например, в AMD Radeon Pro Vega, которые устанавливаются в iMac Pro или AMD Radeon Pro Vega II, которыми оснащаются новые Mac Pro.

Источник: Anandtech

Обсуждение

Оставить сообщение
Обсуждение на форуме целиком